Bild kan vara representation. Se specifikationer för produktinformation.
FQB5N90TM
N-Channel 900V 5.4A Power MOSFET, N-Channel, QFET, 900 V, 5.4 A, 2.3 ?
Artikelnummer
FQB5N90TM
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
TO-263-3
Förpackning
taping
Antal paket
800
Beskrivning
This N-channel enhancement mode power MOSFET is produced using a planar stripe and DMOS proprietary process. This advanced MOSFET technology is designed for low on-resistance, excellent switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for use in switch-mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.