köpa LGE (Lu Guang) LGE3D20120H 1.2kV 20A 1.45V@20A Silicon carbideSilicon carbide (SiC)

Kina
Professionell elektronisk komponentleverantör

Kataloger Tillverkare CN ICs

LGE (Lu Guang)

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

LGE3D20120H

1.2kV 20A 1.45V@20A Silicon carbideSilicon carbide (SiC)

Artikelnummer

LGE3D20120H

Kategori

diode > Schottky diode

Tillverkare/varumärke

LGE (Lu Guang)

Inkapsling

TO-247-2L

Förpackning

Tube

Antal paket

Beskrivning

Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 1.2kV Average rectified current (Io): 20A Forward voltage drop (Vf): 1.45V@20A \n Silicon carbide (SiC) Schottky diode uses a new technology that can Provides excellent switching performance with higher reliability than silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics and excellent thermal performance of Silicon carbide

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 51700 PCS

Kontaktinformation