This Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a rugged, cost-effective field-stop II trench structure and provides excellent performance for demanding switching applications, providing low on-state voltage and minimizing switching losses. This IGBT is ideal for UPS and solar applications. This device integrates a soft, fast combined encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.