onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
NGTB50N65FL2WG
Trench Field Stop 417W 650V 100A IGBT 650V 50A FS2 Solar/UPS
Artikelnummer
NGTB50N65FL2WG
Kategori
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
TO-247-3
Förpackning
Tube
Antal paket
30
Beskrivning
Utilizing a durable and cost-effective Field Stop II trench structure, this Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications, along with low on-state voltage and lowest switching losses. This IGBT is ideal for UPS and solar applications. The device combines a flexible and fast co-encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 59869 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Trench Field Stop 349W 1.2kV 100A IGBT, Super Field Stop — 1200V 25A
onsemi (Ansemi)
Nyckelord av NGTB50N65FL2WG
NGTB50N65FL2WG Elektroniska komponenter
NGTB50N65FL2WG Försäljning
NGTB50N65FL2WG Leverantör
NGTB50N65FL2WG Distributör
NGTB50N65FL2WG Datatabell
NGTB50N65FL2WG Foton
NGTB50N65FL2WG Pris
NGTB50N65FL2WG Erbjudande
NGTB50N65FL2WG Lägsta pris
NGTB50N65FL2WG Sök
NGTB50N65FL2WG Köp av
NGTB50N65FL2WG Chip