HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
NTR4101PT1G-HXY
P-channel 20V 3A
Artikelnummer
NTR4101PT1G-HXY
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Inkapsling
SOT-23
Förpackning
taping
Antal paket
3000
Beskrivning
Field effect transistor (MOSFET) Type: P channel Drain-source voltage (Vdss): 20V Continuous drain current (Id): 3A On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 110mΩ@4.5V, 3A
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53607 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
N-Channel 30V 500mA Single N-Channel Small Signal MOSFET, 30V, 560mA, 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
N-Channel 30V 500mA Single N-Channel Small Signal MOSFET, 30V, 560mA, 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
P-Channel 20V 3.2A Single P-Channel, Trench, Power MOSFET, -20V, -3.2A, 85mΩ
onsemi (Ansemi)
Nyckelord av NTR4101PT1G-HXY
NTR4101PT1G-HXY Elektroniska komponenter
NTR4101PT1G-HXY Försäljning
NTR4101PT1G-HXY Leverantör
NTR4101PT1G-HXY Distributör
NTR4101PT1G-HXY Datatabell
NTR4101PT1G-HXY Foton
NTR4101PT1G-HXY Pris
NTR4101PT1G-HXY Erbjudande
NTR4101PT1G-HXY Lägsta pris
NTR4101PT1G-HXY Sök
NTR4101PT1G-HXY Köp av
NTR4101PT1G-HXY Chip