IPB60R199CPAATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Artikelnummer
IPB60R199CPAATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
139W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1520pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18921 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB60R199CPAATMA1
IPB60R199CPAATMA1 Elektroniska komponenter
IPB60R199CPAATMA1 Försäljning
IPB60R199CPAATMA1 Leverantör
IPB60R199CPAATMA1 Distributör
IPB60R199CPAATMA1 Datatabell
IPB60R199CPAATMA1 Foton
IPB60R199CPAATMA1 Pris
IPB60R199CPAATMA1 Erbjudande
IPB60R199CPAATMA1 Lägsta pris
IPB60R199CPAATMA1 Sök
IPB60R199CPAATMA1 Köp av
IPB60R199CPAATMA1 Chip