IPB70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Artikelnummer
IPB70N10S312ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.3 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4355pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43107 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB70N10S312ATMA1
IPB70N10S312ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB70N10S312ATMA1 Försäljning
IPB70N10S312ATMA1 Leverantör
IPB70N10S312ATMA1 Distributör
IPB70N10S312ATMA1 Datatabell
IPB70N10S312ATMA1 Foton
IPB70N10S312ATMA1 Pris
IPB70N10S312ATMA1 Erbjudande
IPB70N10S312ATMA1 Lägsta pris
IPB70N10S312ATMA1 Sök
IPB70N10S312ATMA1 Köp av
IPB70N10S312ATMA1 Chip