IPC020N10L3X1SA1
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Artikelnummer
IPC020N10L3X1SA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
Die
Leverantörsenhetspaket
Sawn on foil
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 12µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13177 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPC020N10L3X1SA1
IPC020N10L3X1SA1 Elektroniska komponenter
IPC020N10L3X1SA1 Försäljning
IPC020N10L3X1SA1 Leverantör
IPC020N10L3X1SA1 Distributör
IPC020N10L3X1SA1 Datatabell
IPC020N10L3X1SA1 Foton
IPC020N10L3X1SA1 Pris
IPC020N10L3X1SA1 Erbjudande
IPC020N10L3X1SA1 Lägsta pris
IPC020N10L3X1SA1 Sök
IPC020N10L3X1SA1 Köp av
IPC020N10L3X1SA1 Chip