IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Artikelnummer
IPD60R1K0CEATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ CE
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252-3
Effektförlust (max)
37W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37087 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD60R1K0CEATMA1
IPD60R1K0CEATMA1 Elektroniska komponenter
IPD60R1K0CEATMA1 Försäljning
IPD60R1K0CEATMA1 Leverantör
IPD60R1K0CEATMA1 Distributör
IPD60R1K0CEATMA1 Datatabell
IPD60R1K0CEATMA1 Foton
IPD60R1K0CEATMA1 Pris
IPD60R1K0CEATMA1 Erbjudande
IPD60R1K0CEATMA1 Lägsta pris
IPD60R1K0CEATMA1 Sök
IPD60R1K0CEATMA1 Köp av
IPD60R1K0CEATMA1 Chip