IPD65R950CFDBTMA1
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Artikelnummer
IPD65R950CFDBTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
36.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14.1nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36362 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD65R950CFDBTMA1
IPD65R950CFDBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD65R950CFDBTMA1 Försäljning
IPD65R950CFDBTMA1 Leverantör
IPD65R950CFDBTMA1 Distributör
IPD65R950CFDBTMA1 Datatabell
IPD65R950CFDBTMA1 Foton
IPD65R950CFDBTMA1 Pris
IPD65R950CFDBTMA1 Erbjudande
IPD65R950CFDBTMA1 Lägsta pris
IPD65R950CFDBTMA1 Sök
IPD65R950CFDBTMA1 Köp av
IPD65R950CFDBTMA1 Chip