IPDD60R080G7XTMA1
MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
Artikelnummer
IPDD60R080G7XTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ G7
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
10-PowerSOP Module
Leverantörsenhetspaket
PG-HDSOP-10-1
Effektförlust (max)
174W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 400V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12918 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPDD60R080G7XTMA1
IPDD60R080G7XTMA1 Elektroniska komponenter
IPDD60R080G7XTMA1 Försäljning
IPDD60R080G7XTMA1 Leverantör
IPDD60R080G7XTMA1 Distributör
IPDD60R080G7XTMA1 Datatabell
IPDD60R080G7XTMA1 Foton
IPDD60R080G7XTMA1 Pris
IPDD60R080G7XTMA1 Erbjudande
IPDD60R080G7XTMA1 Lägsta pris
IPDD60R080G7XTMA1 Sök
IPDD60R080G7XTMA1 Köp av
IPDD60R080G7XTMA1 Chip