IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
Artikelnummer
IPN60R2K1CEATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-223-3
Leverantörsenhetspaket
PG-SOT223
Effektförlust (max)
5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.1 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 60µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42241 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPN60R2K1CEATMA1
IPN60R2K1CEATMA1 Elektroniska komponenter
IPN60R2K1CEATMA1 Försäljning
IPN60R2K1CEATMA1 Leverantör
IPN60R2K1CEATMA1 Distributör
IPN60R2K1CEATMA1 Datatabell
IPN60R2K1CEATMA1 Foton
IPN60R2K1CEATMA1 Pris
IPN60R2K1CEATMA1 Erbjudande
IPN60R2K1CEATMA1 Lägsta pris
IPN60R2K1CEATMA1 Sök
IPN60R2K1CEATMA1 Köp av
IPN60R2K1CEATMA1 Chip