IPN60R600P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Artikelnummer
IPN60R600P7SATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ P7
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-223-3
Leverantörsenhetspaket
PG-SOT223
Effektförlust (max)
7W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
363pF @ 400V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35565 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPN60R600P7SATMA1
IPN60R600P7SATMA1 Elektroniska komponenter
IPN60R600P7SATMA1 Försäljning
IPN60R600P7SATMA1 Leverantör
IPN60R600P7SATMA1 Distributör
IPN60R600P7SATMA1 Datatabell
IPN60R600P7SATMA1 Foton
IPN60R600P7SATMA1 Pris
IPN60R600P7SATMA1 Erbjudande
IPN60R600P7SATMA1 Lägsta pris
IPN60R600P7SATMA1 Sök
IPN60R600P7SATMA1 Köp av
IPN60R600P7SATMA1 Chip