Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPN65R1K5CEATMA1

IPN65R1K5CEATMA1

CONSUMER
Artikelnummer
IPN65R1K5CEATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ CE
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-223-3
Leverantörsenhetspaket
PG-SOT223
Effektförlust (max)
5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19441 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPN65R1K5CEATMA1
IPN65R1K5CEATMA1 Elektroniska komponenter
IPN65R1K5CEATMA1 Försäljning
IPN65R1K5CEATMA1 Leverantör
IPN65R1K5CEATMA1 Distributör
IPN65R1K5CEATMA1 Datatabell
IPN65R1K5CEATMA1 Foton
IPN65R1K5CEATMA1 Pris
IPN65R1K5CEATMA1 Erbjudande
IPN65R1K5CEATMA1 Lägsta pris
IPN65R1K5CEATMA1 Sök
IPN65R1K5CEATMA1 Köp av
IPN65R1K5CEATMA1 Chip