Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPN70R1K0CEATMA1

IPN70R1K0CEATMA1

MOSFET N-CH 750V 7.4A SOT223
Artikelnummer
IPN70R1K0CEATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
PG-SOT223
Effektförlust (max)
5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
750V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14.9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
328pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30038 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPN70R1K0CEATMA1
IPN70R1K0CEATMA1 Elektroniska komponenter
IPN70R1K0CEATMA1 Försäljning
IPN70R1K0CEATMA1 Leverantör
IPN70R1K0CEATMA1 Distributör
IPN70R1K0CEATMA1 Datatabell
IPN70R1K0CEATMA1 Foton
IPN70R1K0CEATMA1 Pris
IPN70R1K0CEATMA1 Erbjudande
IPN70R1K0CEATMA1 Lägsta pris
IPN70R1K0CEATMA1 Sök
IPN70R1K0CEATMA1 Köp av
IPN70R1K0CEATMA1 Chip