IPS80R1K2P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Artikelnummer
IPS80R1K2P7AKMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ P7
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
PG-TO251-3
Effektförlust (max)
37W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 80µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 500V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31479 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPS80R1K2P7AKMA1
IPS80R1K2P7AKMA1 Elektroniska komponenter
IPS80R1K2P7AKMA1 Försäljning
IPS80R1K2P7AKMA1 Leverantör
IPS80R1K2P7AKMA1 Distributör
IPS80R1K2P7AKMA1 Datatabell
IPS80R1K2P7AKMA1 Foton
IPS80R1K2P7AKMA1 Pris
IPS80R1K2P7AKMA1 Erbjudande
IPS80R1K2P7AKMA1 Lägsta pris
IPS80R1K2P7AKMA1 Sök
IPS80R1K2P7AKMA1 Köp av
IPS80R1K2P7AKMA1 Chip