IRFSL4010PBF
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Artikelnummer
IRFSL4010PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
215nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9575pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39119 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFSL4010PBF
IRFSL4010PBF Elektroniska komponenter
IRFSL4010PBF Försäljning
IRFSL4010PBF Leverantör
IRFSL4010PBF Distributör
IRFSL4010PBF Datatabell
IRFSL4010PBF Foton
IRFSL4010PBF Pris
IRFSL4010PBF Erbjudande
IRFSL4010PBF Lägsta pris
IRFSL4010PBF Sök
IRFSL4010PBF Köp av
IRFSL4010PBF Chip