Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
LND150N3-G-P002

LND150N3-G-P002

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Artikelnummer
LND150N3-G-P002
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Leverantörsenhetspaket
TO-92-3
Effektförlust (max)
740mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30mA (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
0V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35054 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av LND150N3-G-P002
LND150N3-G-P002 Elektroniska komponenter
LND150N3-G-P002 Försäljning
LND150N3-G-P002 Leverantör
LND150N3-G-P002 Distributör
LND150N3-G-P002 Datatabell
LND150N3-G-P002 Foton
LND150N3-G-P002 Pris
LND150N3-G-P002 Erbjudande
LND150N3-G-P002 Lägsta pris
LND150N3-G-P002 Sök
LND150N3-G-P002 Köp av
LND150N3-G-P002 Chip