TN5325K1-G
MOSFET N-CH 250V SOT23-3
Artikelnummer
TN5325K1-G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TA)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236AB (SOT23)
Effektförlust (max)
360mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
150mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25364 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TN5325K1-G
TN5325K1-G Elektroniska komponenter
TN5325K1-G Försäljning
TN5325K1-G Leverantör
TN5325K1-G Distributör
TN5325K1-G Datatabell
TN5325K1-G Foton
TN5325K1-G Pris
TN5325K1-G Erbjudande
TN5325K1-G Lägsta pris
TN5325K1-G Sök
TN5325K1-G Köp av
TN5325K1-G Chip