FCH023N65S3L4
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Artikelnummer
FCH023N65S3L4
Tillverkare/varumärke
Serier
SuperFET® III
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-4
Leverantörsenhetspaket
TO-247-4L
Effektförlust (max)
595W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 7.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
222nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7160pF @ 400V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22912 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FCH023N65S3L4
FCH023N65S3L4 Elektroniska komponenter
FCH023N65S3L4 Försäljning
FCH023N65S3L4 Leverantör
FCH023N65S3L4 Distributör
FCH023N65S3L4 Datatabell
FCH023N65S3L4 Foton
FCH023N65S3L4 Pris
FCH023N65S3L4 Erbjudande
FCH023N65S3L4 Lägsta pris
FCH023N65S3L4 Sök
FCH023N65S3L4 Köp av
FCH023N65S3L4 Chip