FDD7N25LZTM
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3
Artikelnummer
FDD7N25LZTM
Tillverkare/varumärke
Serier
UniFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
56W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
635pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37083 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDD7N25LZTM
FDD7N25LZTM Elektroniska komponenter
FDD7N25LZTM Försäljning
FDD7N25LZTM Leverantör
FDD7N25LZTM Distributör
FDD7N25LZTM Datatabell
FDD7N25LZTM Foton
FDD7N25LZTM Pris
FDD7N25LZTM Erbjudande
FDD7N25LZTM Lägsta pris
FDD7N25LZTM Sök
FDD7N25LZTM Köp av
FDD7N25LZTM Chip