FDI3632
MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
Artikelnummer
FDI3632
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK (TO-262)
Effektförlust (max)
310W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta), 80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7356 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDI3632
FDI3632 Elektroniska komponenter
FDI3632 Försäljning
FDI3632 Leverantör
FDI3632 Distributör
FDI3632 Datatabell
FDI3632 Foton
FDI3632 Pris
FDI3632 Erbjudande
FDI3632 Lägsta pris
FDI3632 Sök
FDI3632 Köp av
FDI3632 Chip