FDR6580
MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8
Artikelnummer
FDR6580
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Gull Wing
Leverantörsenhetspaket
SuperSOT™-8
Effektförlust (max)
1.8W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 11.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3829pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14392 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDR6580
FDR6580 Elektroniska komponenter
FDR6580 Försäljning
FDR6580 Leverantör
FDR6580 Distributör
FDR6580 Datatabell
FDR6580 Foton
FDR6580 Pris
FDR6580 Erbjudande
FDR6580 Lägsta pris
FDR6580 Sök
FDR6580 Köp av
FDR6580 Chip