Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQA7N80C-F109

FQA7N80C-F109

MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
Artikelnummer
FQA7N80C-F109
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Leverantörsenhetspaket
TO-3PN
Effektförlust (max)
198W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1680pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21607 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQA7N80C-F109
FQA7N80C-F109 Elektroniska komponenter
FQA7N80C-F109 Försäljning
FQA7N80C-F109 Leverantör
FQA7N80C-F109 Distributör
FQA7N80C-F109 Datatabell
FQA7N80C-F109 Foton
FQA7N80C-F109 Pris
FQA7N80C-F109 Erbjudande
FQA7N80C-F109 Lägsta pris
FQA7N80C-F109 Sök
FQA7N80C-F109 Köp av
FQA7N80C-F109 Chip