Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
FQD9N25TM-F080

FQD9N25TM-F080

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
Artikelnummer
FQD9N25TM-F080
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20904 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av FQD9N25TM-F080
FQD9N25TM-F080 Elektroniska komponenter
FQD9N25TM-F080 Försäljning
FQD9N25TM-F080 Leverantör
FQD9N25TM-F080 Distributör
FQD9N25TM-F080 Datatabell
FQD9N25TM-F080 Foton
FQD9N25TM-F080 Pris
FQD9N25TM-F080 Erbjudande
FQD9N25TM-F080 Lägsta pris
FQD9N25TM-F080 Sök
FQD9N25TM-F080 Köp av
FQD9N25TM-F080 Chip