NVF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Artikelnummer
NVF6P02T3G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223 (TO-261)
Effektförlust (max)
8.3W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6054 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NVF6P02T3G
NVF6P02T3G Elektroniska komponenter
NVF6P02T3G Försäljning
NVF6P02T3G Leverantör
NVF6P02T3G Distributör
NVF6P02T3G Datatabell
NVF6P02T3G Foton
NVF6P02T3G Pris
NVF6P02T3G Erbjudande
NVF6P02T3G Lägsta pris
NVF6P02T3G Sök
NVF6P02T3G Köp av
NVF6P02T3G Chip