RFD4N06LSM9A
MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
Artikelnummer
RFD4N06LSM9A
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
30W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15766 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RFD4N06LSM9A
RFD4N06LSM9A Elektroniska komponenter
RFD4N06LSM9A Försäljning
RFD4N06LSM9A Leverantör
RFD4N06LSM9A Distributör
RFD4N06LSM9A Datatabell
RFD4N06LSM9A Foton
RFD4N06LSM9A Pris
RFD4N06LSM9A Erbjudande
RFD4N06LSM9A Lägsta pris
RFD4N06LSM9A Sök
RFD4N06LSM9A Köp av
RFD4N06LSM9A Chip