NP33N06YDG-E1-AY
MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
Artikelnummer
NP33N06YDG-E1-AY
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
8-HSON
Effektförlust (max)
1W (Ta), 97W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13290 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av NP33N06YDG-E1-AY
NP33N06YDG-E1-AY Elektroniska komponenter
NP33N06YDG-E1-AY Försäljning
NP33N06YDG-E1-AY Leverantör
NP33N06YDG-E1-AY Distributör
NP33N06YDG-E1-AY Datatabell
NP33N06YDG-E1-AY Foton
NP33N06YDG-E1-AY Pris
NP33N06YDG-E1-AY Erbjudande
NP33N06YDG-E1-AY Lägsta pris
NP33N06YDG-E1-AY Sök
NP33N06YDG-E1-AY Köp av
NP33N06YDG-E1-AY Chip