RSJ10HN06TL
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
Artikelnummer
RSJ10HN06TL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
LPTS
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
202nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11000pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28252 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RSJ10HN06TL
RSJ10HN06TL Elektroniska komponenter
RSJ10HN06TL Försäljning
RSJ10HN06TL Leverantör
RSJ10HN06TL Distributör
RSJ10HN06TL Datatabell
RSJ10HN06TL Foton
RSJ10HN06TL Pris
RSJ10HN06TL Erbjudande
RSJ10HN06TL Lägsta pris
RSJ10HN06TL Sök
RSJ10HN06TL Köp av
RSJ10HN06TL Chip