Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
STB50NE10T4

STB50NE10T4

MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Artikelnummer
STB50NE10T4
Tillverkare/varumärke
Serier
STripFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-65°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
180W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
166nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38763 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av STB50NE10T4
STB50NE10T4 Elektroniska komponenter
STB50NE10T4 Försäljning
STB50NE10T4 Leverantör
STB50NE10T4 Distributör
STB50NE10T4 Datatabell
STB50NE10T4 Foton
STB50NE10T4 Pris
STB50NE10T4 Erbjudande
STB50NE10T4 Lägsta pris
STB50NE10T4 Sök
STB50NE10T4 Köp av
STB50NE10T4 Chip