STFI11N65M2
MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
Artikelnummer
STFI11N65M2
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ II Plus
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Leverantörsenhetspaket
I2PAKFP (TO-281)
Effektförlust (max)
25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
670 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
410pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9160 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STFI11N65M2
STFI11N65M2 Elektroniska komponenter
STFI11N65M2 Försäljning
STFI11N65M2 Leverantör
STFI11N65M2 Distributör
STFI11N65M2 Datatabell
STFI11N65M2 Foton
STFI11N65M2 Pris
STFI11N65M2 Erbjudande
STFI11N65M2 Lägsta pris
STFI11N65M2 Sök
STFI11N65M2 Köp av
STFI11N65M2 Chip