STH110N10F7-2
MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
Artikelnummer
STH110N10F7-2
Tillverkare/varumärke
Serier
DeepGATE™, STripFET™ VII
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
H2Pak-2
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5117pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19763 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STH110N10F7-2
STH110N10F7-2 Elektroniska komponenter
STH110N10F7-2 Försäljning
STH110N10F7-2 Leverantör
STH110N10F7-2 Distributör
STH110N10F7-2 Datatabell
STH110N10F7-2 Foton
STH110N10F7-2 Pris
STH110N10F7-2 Erbjudande
STH110N10F7-2 Lägsta pris
STH110N10F7-2 Sök
STH110N10F7-2 Köp av
STH110N10F7-2 Chip