STH15NB50FI
MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
Artikelnummer
STH15NB50FI
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerMESH™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOWATT-218-3
Leverantörsenhetspaket
ISOWATT-218
Effektförlust (max)
80W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50350 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STH15NB50FI
STH15NB50FI Elektroniska komponenter
STH15NB50FI Försäljning
STH15NB50FI Leverantör
STH15NB50FI Distributör
STH15NB50FI Datatabell
STH15NB50FI Foton
STH15NB50FI Pris
STH15NB50FI Erbjudande
STH15NB50FI Lägsta pris
STH15NB50FI Sök
STH15NB50FI Köp av
STH15NB50FI Chip