STH210N75F6-2
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
Artikelnummer
STH210N75F6-2
Tillverkare/varumärke
Serier
DeepGATE™, STripFET™ VI
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
H2Pak-2
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
171nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34943 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STH210N75F6-2
STH210N75F6-2 Elektroniska komponenter
STH210N75F6-2 Försäljning
STH210N75F6-2 Leverantör
STH210N75F6-2 Distributör
STH210N75F6-2 Datatabell
STH210N75F6-2 Foton
STH210N75F6-2 Pris
STH210N75F6-2 Erbjudande
STH210N75F6-2 Lägsta pris
STH210N75F6-2 Sök
STH210N75F6-2 Köp av
STH210N75F6-2 Chip