Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
STI33N60M2

STI33N60M2

MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
Artikelnummer
STI33N60M2
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ II Plus
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK (TO-262)
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1781pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5707 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av STI33N60M2
STI33N60M2 Elektroniska komponenter
STI33N60M2 Försäljning
STI33N60M2 Leverantör
STI33N60M2 Distributör
STI33N60M2 Datatabell
STI33N60M2 Foton
STI33N60M2 Pris
STI33N60M2 Erbjudande
STI33N60M2 Lägsta pris
STI33N60M2 Sök
STI33N60M2 Köp av
STI33N60M2 Chip