STW60NM50N
MOSFET N CH 500V 68A TO-247
Artikelnummer
STW60NM50N
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ II
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
446W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
43 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
178nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5790pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48162 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STW60NM50N
STW60NM50N Elektroniska komponenter
STW60NM50N Försäljning
STW60NM50N Leverantör
STW60NM50N Distributör
STW60NM50N Datatabell
STW60NM50N Foton
STW60NM50N Pris
STW60NM50N Erbjudande
STW60NM50N Lägsta pris
STW60NM50N Sök
STW60NM50N Köp av
STW60NM50N Chip