XP151A11B0MR-G
MOSFET N-CH 30V 1A SOT23
Artikelnummer
XP151A11B0MR-G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23
Effektförlust (max)
500mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22436 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av XP151A11B0MR-G
XP151A11B0MR-G Elektroniska komponenter
XP151A11B0MR-G Försäljning
XP151A11B0MR-G Leverantör
XP151A11B0MR-G Distributör
XP151A11B0MR-G Datatabell
XP151A11B0MR-G Foton
XP151A11B0MR-G Pris
XP151A11B0MR-G Erbjudande
XP151A11B0MR-G Lägsta pris
XP151A11B0MR-G Sök
XP151A11B0MR-G Köp av
XP151A11B0MR-G Chip