DMJ70H1D3SH3
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
Artikelnummer
DMJ70H1D3SH3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
TO-251
Effektförlust (max)
41W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13.9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
351pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23009 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av DMJ70H1D3SH3
DMJ70H1D3SH3 Elektroniska komponenter
DMJ70H1D3SH3 Försäljning
DMJ70H1D3SH3 Leverantör
DMJ70H1D3SH3 Distributör
DMJ70H1D3SH3 Datatabell
DMJ70H1D3SH3 Foton
DMJ70H1D3SH3 Pris
DMJ70H1D3SH3 Erbjudande
DMJ70H1D3SH3 Lägsta pris
DMJ70H1D3SH3 Sök
DMJ70H1D3SH3 Köp av
DMJ70H1D3SH3 Chip