DMJ70H1D4SV3
MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
Artikelnummer
DMJ70H1D4SV3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
TO-251
Effektförlust (max)
78W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
342pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7998 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av DMJ70H1D4SV3
DMJ70H1D4SV3 Elektroniska komponenter
DMJ70H1D4SV3 Försäljning
DMJ70H1D4SV3 Leverantör
DMJ70H1D4SV3 Distributör
DMJ70H1D4SV3 Datatabell
DMJ70H1D4SV3 Foton
DMJ70H1D4SV3 Pris
DMJ70H1D4SV3 Erbjudande
DMJ70H1D4SV3 Lägsta pris
DMJ70H1D4SV3 Sök
DMJ70H1D4SV3 Köp av
DMJ70H1D4SV3 Chip