DMN90H2D2HCTI
MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
Artikelnummer
DMN90H2D2HCTI
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
ITO-220AB
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1487pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33299 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av DMN90H2D2HCTI
DMN90H2D2HCTI Elektroniska komponenter
DMN90H2D2HCTI Försäljning
DMN90H2D2HCTI Leverantör
DMN90H2D2HCTI Distributör
DMN90H2D2HCTI Datatabell
DMN90H2D2HCTI Foton
DMN90H2D2HCTI Pris
DMN90H2D2HCTI Erbjudande
DMN90H2D2HCTI Lägsta pris
DMN90H2D2HCTI Sök
DMN90H2D2HCTI Köp av
DMN90H2D2HCTI Chip