DMN90H8D5HCT
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
Artikelnummer
DMN90H8D5HCT
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39255 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av DMN90H8D5HCT
DMN90H8D5HCT Elektroniska komponenter
DMN90H8D5HCT Försäljning
DMN90H8D5HCT Leverantör
DMN90H8D5HCT Distributör
DMN90H8D5HCT Datatabell
DMN90H8D5HCT Foton
DMN90H8D5HCT Pris
DMN90H8D5HCT Erbjudande
DMN90H8D5HCT Lägsta pris
DMN90H8D5HCT Sök
DMN90H8D5HCT Köp av
DMN90H8D5HCT Chip