RFD12N06RLESM9A
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Artikelnummer
RFD12N06RLESM9A
Tillverkare/varumärke
Serier
UltraFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
49W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
485pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18769 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RFD12N06RLESM9A
RFD12N06RLESM9A Elektroniska komponenter
RFD12N06RLESM9A Försäljning
RFD12N06RLESM9A Leverantör
RFD12N06RLESM9A Distributör
RFD12N06RLESM9A Datatabell
RFD12N06RLESM9A Foton
RFD12N06RLESM9A Pris
RFD12N06RLESM9A Erbjudande
RFD12N06RLESM9A Lägsta pris
RFD12N06RLESM9A Sök
RFD12N06RLESM9A Köp av
RFD12N06RLESM9A Chip