RFD14N05L
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
Artikelnummer
RFD14N05L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251AA
Effektförlust (max)
48W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
50V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24304 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RFD14N05L
RFD14N05L Elektroniska komponenter
RFD14N05L Försäljning
RFD14N05L Leverantör
RFD14N05L Distributör
RFD14N05L Datatabell
RFD14N05L Foton
RFD14N05L Pris
RFD14N05L Erbjudande
RFD14N05L Lägsta pris
RFD14N05L Sök
RFD14N05L Köp av
RFD14N05L Chip