RSR010N10TL
MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
Artikelnummer
RSR010N10TL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-96
Leverantörsenhetspaket
TSMT3
Effektförlust (max)
540mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
3.5nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29937 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RSR010N10TL
RSR010N10TL Elektroniska komponenter
RSR010N10TL Försäljning
RSR010N10TL Leverantör
RSR010N10TL Distributör
RSR010N10TL Datatabell
RSR010N10TL Foton
RSR010N10TL Pris
RSR010N10TL Erbjudande
RSR010N10TL Lägsta pris
RSR010N10TL Sök
RSR010N10TL Köp av
RSR010N10TL Chip