RSR020N06TL
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Artikelnummer
RSR020N06TL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-96
Leverantörsenhetspaket
TSMT3
Effektförlust (max)
540mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24341 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RSR020N06TL
RSR020N06TL Elektroniska komponenter
RSR020N06TL Försäljning
RSR020N06TL Leverantör
RSR020N06TL Distributör
RSR020N06TL Datatabell
RSR020N06TL Foton
RSR020N06TL Pris
RSR020N06TL Erbjudande
RSR020N06TL Lägsta pris
RSR020N06TL Sök
RSR020N06TL Köp av
RSR020N06TL Chip