RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 0.1A VMT3
Artikelnummer
RUM001L02T2CL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-723
Leverantörsenhetspaket
VMT3
Effektförlust (max)
150mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7.1pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37125 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RUM001L02T2CL
RUM001L02T2CL Elektroniska komponenter
RUM001L02T2CL Försäljning
RUM001L02T2CL Leverantör
RUM001L02T2CL Distributör
RUM001L02T2CL Datatabell
RUM001L02T2CL Foton
RUM001L02T2CL Pris
RUM001L02T2CL Erbjudande
RUM001L02T2CL Lägsta pris
RUM001L02T2CL Sök
RUM001L02T2CL Köp av
RUM001L02T2CL Chip