RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
Artikelnummer
RUM002N02T2L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-723
Leverantörsenhetspaket
VMT3
Effektförlust (max)
150mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
25pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 2.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24322 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RUM002N02T2L
RUM002N02T2L Elektroniska komponenter
RUM002N02T2L Försäljning
RUM002N02T2L Leverantör
RUM002N02T2L Distributör
RUM002N02T2L Datatabell
RUM002N02T2L Foton
RUM002N02T2L Pris
RUM002N02T2L Erbjudande
RUM002N02T2L Lägsta pris
RUM002N02T2L Sök
RUM002N02T2L Köp av
RUM002N02T2L Chip