RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Artikelnummer
RUM003N02T2L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-723
Leverantörsenhetspaket
VMT3
Effektförlust (max)
150mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 300mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
25pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21118 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RUM003N02T2L
RUM003N02T2L Elektroniska komponenter
RUM003N02T2L Försäljning
RUM003N02T2L Leverantör
RUM003N02T2L Distributör
RUM003N02T2L Datatabell
RUM003N02T2L Foton
RUM003N02T2L Pris
RUM003N02T2L Erbjudande
RUM003N02T2L Lägsta pris
RUM003N02T2L Sök
RUM003N02T2L Köp av
RUM003N02T2L Chip