STW54NM65ND
MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
Artikelnummer
STW54NM65ND
Tillverkare/varumärke
Serier
FDmesh™ II
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
350W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
188nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6200pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37371 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STW54NM65ND
STW54NM65ND Elektroniska komponenter
STW54NM65ND Försäljning
STW54NM65ND Leverantör
STW54NM65ND Distributör
STW54NM65ND Datatabell
STW54NM65ND Foton
STW54NM65ND Pris
STW54NM65ND Erbjudande
STW54NM65ND Lägsta pris
STW54NM65ND Sök
STW54NM65ND Köp av
STW54NM65ND Chip