STW55NM50N
MOSFET N-CH 500V 54A TO-247
Artikelnummer
STW55NM50N
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ II
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
350W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
54 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33186 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STW55NM50N
STW55NM50N Elektroniska komponenter
STW55NM50N Försäljning
STW55NM50N Leverantör
STW55NM50N Distributör
STW55NM50N Datatabell
STW55NM50N Foton
STW55NM50N Pris
STW55NM50N Erbjudande
STW55NM50N Lägsta pris
STW55NM50N Sök
STW55NM50N Köp av
STW55NM50N Chip